本復(fù)試考試由兩部分組成，請考生根據(jù)自己的具體情況任選一部分進(jìn)行答題。

　　第一部分： 半導(dǎo)體集成電路復(fù)試大綱（參加微電子學(xué)復(fù)試的考生參考）

　　一、考試的總體要求

　　"半導(dǎo)體集成電路"是微電子技術(shù)專業(yè)的主干課程。本大綱包括"半導(dǎo)體特種效應(yīng)"、"半導(dǎo)體集成電路"。目的是考察考生對基本理論、基本知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。

　　二、考試內(nèi)容及比例

　?。ㄒ唬┌雽?dǎo)體特種效應(yīng)（40%）

　　1、 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及能帶圖，異質(zhì)結(jié)鍺硅雙極晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因，高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因；

　　2、 半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測器, 半導(dǎo)體太陽電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光基本原理；

　　3、 半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)。

　?。ǘ┌雽?dǎo)體集成電路（60%）

　　1、 MOS 反相器及其基本邏輯單元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自舉反相器、動態(tài)反相器、

　　NMOS 邏輯結(jié)構(gòu)、傳輸門邏輯。

　　2、 導(dǎo)線模型及寄生參數(shù) 互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型。

　　3、 CMOS 組合邏輯門的設(shè)計 靜態(tài) CMOS 組合邏輯、動態(tài) CMOS 組合邏輯。

　　4、 時序邏輯電路設(shè)計 靜態(tài)鎖存器和寄存器、動態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、非雙穩(wěn)時序電路。

　　5、 數(shù)字電路中的時序問題 數(shù)字系統(tǒng)的時序分類、同步設(shè)計、自定時電路設(shè)計、時鐘的不確定性。

　　6、 設(shè)計運(yùn)算功能塊 數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器。

　　三、試卷題型及比例

　　1、 選擇，填空題：15%；

　　2、 簡答題：30%；

　　3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

　　四、考試形式及時間

　　考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。

　　五、參考書目

　　1、 半導(dǎo)體物理學(xué)，（第七版）， 劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。

　　2、 半導(dǎo)體物理與器件，美 Neamen 著，趙毅強(qiáng)等譯，電子工業(yè)出版社；

　　3、 數(shù)字集成電路--電路、系統(tǒng)與設(shè)計，周潤德等譯，電子工業(yè)出版社；

　　4、 半導(dǎo)體集成電路、朱正涌編著，清華大學(xué)出版社。

　　第二部分：薄膜電子技術(shù)復(fù)試大綱（參加固體電子學(xué)專業(yè)復(fù)試的考生參考）

　　一、考試的總體要求

　　"薄膜電子技術(shù)"是微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)的主干課程。本課程的考試目的是考察學(xué)生對基本理論、基本知識、基本技能的掌握情況，考察學(xué)生分析問題解決問題的能力。

　　二、考試內(nèi)容及比例

　　1、薄膜的制備技術(shù)：

　　1) 真空技術(shù)基礎(chǔ)：

　　真空的基本知識，真空的獲得，真空度的表征和檢測。

　　2) 物理氣相沉積鍍膜技術(shù)：

　　真空蒸發(fā)鍍膜原理，蒸發(fā)源類型及原理，蒸發(fā)特性及參數(shù)，合金及化合物蒸發(fā)。 濺射鍍膜類型及原理、特點(diǎn)，濺射特性參數(shù)。 離子鍍膜原理、特點(diǎn)。

　　3) 化學(xué)氣相沉積鍍膜技術(shù)：

　　不同類型化學(xué)氣相沉積鍍膜方法原理及特點(diǎn) 常壓化學(xué)氣相沉積，低壓化學(xué)氣相沉積，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積，光化學(xué)氣相沉積。

　　4) 溶液鍍膜法：

　　化學(xué)鍍，溶膠-凝膠法，LB 膜的制備原理和特點(diǎn)。

　　2、薄膜形成理論：

　　1） 薄膜的形成過程,薄膜的形成與生長形式。熱適應(yīng)系數(shù)，熱力學(xué)界面能理論，原子聚集理論。

　　2） 薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷： 薄膜的組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)，薄膜的缺陷及產(chǎn)生機(jī)理。

　　3、薄膜結(jié)構(gòu)與化學(xué)組分檢測方法： X 射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，俄歇電子能譜法，

　　X 射線光電子能譜法，檢測原理與特點(diǎn)。

　　三、試卷題型及比例

　　1、 選擇，填空題：15%；

　　2、 簡答題：30%；

　　3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

　　四、 考試形式及時間

考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。

　　五、 參考書目

　　薄膜物理與技術(shù)，楊邦朝等，電子科技大學(xué)出版社。